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4 通道 ESD 保护解决方案,用于超高速(高达 5 Gbps)接口

TPD4E05U06-Q1 是一款具有超低电容的单向瞬态电压抑制器 (TVS) 静电放电 (ESD) 保护二极管阵列。 该二极管阵列的额定 ESD 冲击消散值高于 IEC61000-4-2 4 级国际标准中规定的最高水平。 其负载电容超低,因此非常适合保护高速信号引脚。

用于超高速(最高 6 Gbps)接口的 4 通道保护解决方案

TPD4E110 是一款具有超低电容值的单向静电放电 (ESD) 保护器件。 此器件由一个中央 ESD 钳位组成,并且在每个通道中特有两个隐藏的二极管,以减少电容负载。 每条通道额定 ESD 冲击消散值高于 IEC61000-4-2 4 级国际标准中规定的最高水平。 TPD4E110 的超低负载电容值使得此器件非常适合于保护高速信号引脚。

USB 充电器,VBUS_CON 引脚带过压、电涌和 ESD 保护

TPD1S514 是一款用于 USB VBUS 线路或其他电源总线的单片保护解决方案。 此双向 nFET 开关在保护内部系统电路不受任何 VBUS_CON 引脚上过压情况影响的同时,可确保充电和主机模式下的安全电流流量。 在 VBUS_CON 引脚上,这款器件能够处理高达 30V 直流电压的过压保护。 在 EN 引脚切换为低电平时,TPD1S514 在通过一个软启动延迟接通 nFET 之前等待 20ms。 TPD1S514 可由厂家设定为多个 VOVP,启动和软启动延迟组合。 请参见表格。

TPD4E6B06 4 通道双向低电容 ESD 保护器件

TPD4E6B06 是一款采用超小型 DPW 封装的四通道静电放电 (ESD) 保护器件。 它是工业领域内最小的四通道瞬态电压抑制器 (TVS) 二极管阵列,间距为 0.48mm。 这种较大的间距有助于节省印刷电路板 (PCB) 的制造成本。 此器件提供与 IEC61000-4-2 兼容的高达 15kV 接触放电保护。 此器件具有 ESD 钳位电路,此电路的背对背二极管支持单极/双向信号。 4.8pF(典型值)线路电容适用于能够支持高达 700MHz 数据速率的宽范围应用。

针对 USB 主机端口的限流开关和 D+/D– ESD 保护

TPD3S0x4 集成器件配有一个限流负载开关和一个基于双通道瞬态电压抑制器 (TVS) 的静电放电 (ESD) 保护二极管阵列,适用于 USB 接口。

针对 USB 主机端口的限流开关和 D+/D– ESD 保护

TPD3S0x4 集成器件配有一个限流负载开关和一个基于双通道瞬态电压抑制器 (TVS) 的静电放电 (ESD) 保护二极管阵列,适用于 USB 接口。

TPD2E2U06 双通道高速 ESD 保护器件

TPD2E2U06 是一款双通道低电容瞬态电压抑制器 (TVS) 二极管静电放电 (ESD) 保护器件。 该器件可提供符合 IEC 61000-4-2 标准的 ±25kV 接触 ESD 保护和 ±30kV 气隙 ESD 保护。 TPD2E2U06 的 1.5pF 线路电容使得此器件适合于广泛应用。 典型应用接口为 USB 2.0,低压差分信令 (LVDS) 接口和 I2C。

USB 充电器,VBUS_CON 引脚带过压、电涌和 ESD 保护

TPD1S514 是一款用于 USB VBUS 线路或其他电源总线的单片保护解决方案。 此双向 nFET 开关在保护内部系统电路不受任何 VBUS_CON 引脚上过压情况影响的同时,可确保充电和主机模式下的安全电流流量。 在 VBUS_CON引脚上,这款器件能够处理高达 30V 直流电压的过压保护。 在 EN 引脚切换为低电平时,TPD1S514 在通过一个软启动延迟接通 nFET 之前等待 20ms。 TPD1S514 可由厂家设定为多个 VOVP,启动和软启动延迟组合。 请参见表格。